Weerstand van Gpo3 laminaat

De methode en kenmerken van 2100kev hoogenergetische vanadiuminjectie in de semi-isolerende laag van gpo3-laminaat werden bestudeerd. De concentratieverdeling van de geïnjecteerde laag werd gesimuleerd met behulp van Monte Carlo-analysesoftware. Met behulp van een mesa-structuur voor gpo3 is gevonden dat de soortelijke weerstand van de vanadium-geïmplanteerde laag nauw verwant is aan het initiële geleidbaarheidstype van de gpo3-laag. Bij kamertemperatuur is de soortelijke weerstand van vanadium geïmplanteerd p-type en n-type 4H SiC is respectievelijk 1,6 × 10^10 en 7,6 × 10^6 Ω· cm. De soortelijke weerstand bij verschillende uitgloeitemperaturen wordt gemeten. Gebleken is dat gloeien bij hoge temperatuur bevorderlijk is voor activering van vanadiumsubstitutie en het verhogen van de soortelijke weerstand. Door de invloed van vanadiumdiffusie neemt de soortelijke weerstand lichtjes af na gloeien bij 1700 graden. De soortelijke weerstand van de n-type SiC-vanadium geïmplanteerde laag bij 20 ~ 140 graden werd gemeten. De activeringsenergie van het vanadiumacceptorniveau in 4H SiC werd berekend op 0,78 ev